Главная - Литература

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 [109] 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226 227 228 229 230 231 232 233

должно быть выбрано равным или меньшим 90 в с таким расчетом, чтобы напряжение на защитной сетке могло изменяться на требуемую величину 20 е.

2. Выбор сопротивления Ra.

Как видно из рис. 9-3, сопротивление анодной нагрузки порядка 100 ком обеспечивает резкое возрастание тока экранирующей сетки при напряжении на аноде, соответствующем нижнему сгибу анодной характеристики при нулевом сеточном смещении. Поэтому примем значение 7?а = 100 ком.

3. Определение величины исходного смещения на управляющей сетке при повышении напряжения на защитной сетке до нуля.

На рис. 9-3 на семействе анодных характеристик лампы построена кривая зависимости £а - Ucl от U,z. Точка а пересечения этой кривой с линией нагрузки представляет собой начальную рабочую точку в течение периода проводимости. Согласно рис. 9-3 напряжение Uci равно -4,5 е.

4. Определение ления /?си емкости нения (9-8).

При максимальном времени задержки 800 мксек исходное напряжение 17исх выбирается равным ЕЛ. Согласно рис. 9-3 напряжение С1Я.П, соответствующее точке Ь, приблизительно равно 4 е. Поэтому из уравнения (9-8)

сопротив-Ci из у р а в-

800 • 10-"

исх 200

200-4

- 816 мксек.

Время, требуемое для перезаряда конденсатора Ci при отсечке анодного тока, определяется уравнением (9-6):

Ть 4,6/?аС,.

Время восстановления составляет 200 мксек. Поэтому

"*аС = 43,5.,0-°.

При Ra, равном 100 ком, емкость 43,5 • 10-°

; 435 пф.

Пусть Rc = 2,2 Мом, тогда 816 • 10-

2,2 - 10-"

371 щ

5. Определение требуемых пределов изменения напряжения (7ИСХ.

При времени задержки 800 мксек 1/исх = = 200 в. Минимальное время задержки составляет 50 мксек. Из уравнения (9-8)

= 4,0

= 77а.п-

исх-*а.п

50 10-° 200 816 10-" ~

Поэтому исходное напряжение 1/исх должно регулироваться в пределах 16,3-200 в.

6. Определение сопротивлений Ri, Rs и Rs.

Так как имеющиеся характеристики ламп не являются достаточно полными для определения напряжения и тока экранирующей сетки при отсечке анодного тока, значения сопротивлений Rt, #3 и R,t легче всего определяются экспериментальным путем. Сопротивления R* и Rs должны быть отрегулированы таким образом, чтобы напряжение на защитной сетке было несколько больше нуля при напряжении на экранирующей сетке 120 е. Сопротивление Rt должно иметь такое значение, при котором изменение тока экранирующей сетки в период между двумя состояниями вызывает достаточно большой перепад напряжения на защитной сетке для обеспечения отсечки анодного тока в режиме, соответствующем состоянию покоя.

Заключение.

Полная схема фантастрона со связью по экранирующей сетке приведена на рис. 9-7.3адер-

20ОЙ


Входной запускающий импильс

16,3 в.

Рис. 9-7. Расчетная схема фантастрона сю связью по экранирующей сетке (к примеру 9-П.

жанный селекторный импульс может сниматься с экранирующей или защитной сетки. Конденсатор Cs должен иметь емкость порядка 50 пф. Напряжение смещения на аноде диода Д3 должно составлять около -20 в или несколько больше с таким расчетом, чтобы напряжение на защитной сетке оставалось ниже напряжения отсечки до поступления запускающего импульса на анод диода Дг. Схема запускается удовлетворительно при амплитуде запускающего импульса порядка 20 в.

9-3. СХЕМА ФАНТАСТРОНА С КАТОДНОЙ СВЯЗЬЮ

В фантастроне со связью по экранирующей сетке положительная обратная связь, обусловливающая возможность развития регенеративного процесса при опрокидывании, обеспечивается с помощью цепочки RC между защитной и экранирующей сетками. Такая же положительная обратная связь может быть получена при включении сопротивления в цепь катода. На рис. 9-8 приведена типичная схема фанта-



строна с катодной связью. В состоянии покоя потенциал управляющей сеткн фиксируется на уровне положительного исходного напряжения с помощью диода Да. Напряжение; к которому подключается защитная сетка, меньше потенциала катода на величину, достаточную для отсечки анодного тока. Ток экранирующей

Входной запускающий]

импульс


Рис. 9-8. Типичная схема фантастрона с катодной связью.

сетки сравнительно велик, так как напряжение на управляющей сетке близко к нулю, а напряжение защитной сетки ниже напряжения отсечки анодного тока. Поступающий на защитную сетку положительный запускающий импульс вызывает протекание анодного тока. Результирующее падение потенциала анода передается на управляющую сетку через конденсатор Ci, вызывая снижение ее потенциала. Последнее вызывает уменьшение общего катодного тока лампы, что в свою очередь вызывает падение потенциала катода. Напряжение на защитной сетке обусловливает дальнейшее увеличение анодного тока. Этим завершается нарастающий процесс опрокидывания. В результате ход процесса опрокидывания имеет вид, описанный в § 9-2 для фантастрона со связью по экранирующей сетке. Рабочая стадия заканчивается в момент, соответствующий критическому режиму работы лампы (иа нижнем сгибе анодной характеристики лампы). Когда напряжение на аноде больше не может уменьшаться при увеличении напряжения иа управляющей сетке, то последнее возрастает со значительно большей скоростью. Вследствие этого увеличивается катодный ток, а следовательно, и напряжение на катоде, вызывая в результате увеличение смещения на, защитной сетке и уменьшение анодного тока. Увеличение напряжения на аноде передается на управляющую сетку через конденсатор С,, При этом завершается нарастающий процесс опрокидывания, при котором происходит отсечка защитной сетки, а лампа возвращается в свое исходное состояние покоя. Длительность спада напряжения на аноде может управляться начальным анодным напряжением с/„сх, устанавливаемым с помощью диода Д,. Регулировка исходного напряжения U]KX, к которому подключается диод Ди обеспечивает линейную регулировку длительности напряжения на аноде. На рис. 9-9 приведены

диаграммы напряжений для фантастрона с катодной связью. На экранирующей сетке получается положительный выходной селекторный импульс, не связанный с другими электродами лампы. Отрицательный импульс может быть снят с катода.

2008 ""


ВОВ L.

Г20В

Рис. 9 9. Диаграммы напряжении в типичной схеме

фантастрона с катодной связью. J - потенциал защитной сетки, 2 - потенциал анода; 3 - потенциал управляющей сетки 4 - потенциал катода, 5 - потенциал экранирующей сетки.

Если Rc значительно больше Rlt что обычно имеет место иа практике, то потенциалы электродов лампы в состоянии покоя определяются следующим образом. Потенциал управляющей сетки l7c1 в состоянии покоя определяется выражением

R-2 + R,

ис> =

R1 + R2 + R.i

(9-Ю)

Потенциал защитной сетки с7с3 в состоянии покоя определяется выражением

Напряжение на катоде UK в состоянии покоя определяется выражением

UkIRk, (9-12)

где /с2 - ток экранирующей сетки при отсечке анодного тока и при данных значениях напряжения на управляющей сетке, катодного сопротивления и сопротивления вцепи экранирующей сетки. Обычно достаточные данные для определения этого тока отсутствуют и его приходится находить экспериментальным путем. Для обеспечения отсечки анодного тока потенциал катода должен быть выше потенциала защитной сетки, определяемого уравнением (9-11), а также несколько выше значения сУс1, определяемого уравнением (9-10).

Гасящее сопротивление в цепи экранирующей сеткн Яэкр должно быть достаточно боль-l-ii...i с. раннчения рассеяния мощности на



экранирующей сетке в состоянии покоя до значения, меньшего максимально допустимой величины.

При подаче на защитную сетку положительного спускового импульса и возникновении нарастающего процесса опрокидывания потенциалы анода, катода и управляющей сетки одновременно падают. Аиодиый ток поддерживается результирующим смещением в цепи управляющей сетки. Имеющиеся ламповые характеристики обычно не дают достаточных данных для расчета указанного падения напряжения. Для пентода 6AS6 и сопротивлений анодной нагрузки, превышающих приблизительно 50 ком, начальное падение потенциала на управляющей сетке лежит обычно в пределах 4-5 в ниже потенциала катода. Когда напряжение на управляющей сетке падает до своего первоначального уровня в начале интервала протекания анодного тока, общий катодный ток должен упасть до величины, при которой напряжение между защитной сеткой и катодом становится выше напряжения отсечки. Для стабилизации напряжения между защитной сеткой и катодом потенциал катода в течение периода проводимости лампы по анодному току должен упасть до величины, меньшей потенциала защитной сетки, определяемого уравнением (9-11). Таким образом, потенциал защитной сетки вследствие ее проводимости фиксируется на уровне потенциала катода.

В течение периода протекания анодного тока потенциал аиода уменьшается по мере увеличения напряжения иа управляющей сетке. Это приводит к линейному уменьшению потенциала аиода со временем, как в случае фантастрона со связью по экранирующей сетке. Вследствие влияния сопротивления в цепи катода уменьшается эффективный коэффициент усиления каскада. Это вызывает некоторое ухудшение линейности напряжения на аиоде. Мгновенное значение напряжения на аиоде в момент г после отпирания лампы приближенно определяется выражением

«а = £а - /а#а- I АП (£а - cl + /а#а) X

X (I - е- /J?cci О *Г I + D), (9-13)

где /а - начальное значение анодного тока.

Если К значительно больше единицы, а £а значительно больше разности (е/с1-/аА!а), то скорость нарастания напряжения иа аиоде с большой степенью точности равна -l7a/i?cCi для всего участка линейно изменяющегося напряжения на аноде. Минимальная величина напряжения между анодом и катодом для лампы 6AS6 при сопротивлении анодной нагрузки 50 ком (или выше) составляет приблизительно 10 в или меньше.

В конце участка линейно изменяющегося напряжения на аиоде мгновенное возрастание напряжения до величины Ея (до момента, когда £а = с7исх) в момент t после отсечки анодного тока определяется выражением

U=E~ 7r(E.~Ua.n)e- + i,

(9-14)

„ R, № + R») . • - - **~Ri + Rt + Rl

а.п - напряжение между анодом и землей в конце участка линейно изменяющегося напряжения на аноде, т. е. напряжение между анодом и землей при работе в режиме, соответствующем нижнему сгибу анодной характеристики. Считая £а > с7с1 - /а7?а> можно определить длительность Та участка линейно изменяющегося напряжения на аиоде выражением

Та = ЯсС ("mXE""n) (9"5)

Интервал времени Та может изменяться линейно в зависимости от исходного напряжения Umx, на уровне которого фиксировано напряжение на аноде с помощью диода Дг. Преимущества фантастрона с катодной связью состоят в следующем: 1) ие требуется источник напряжения смещения; 2) отсутствует соединение с экранирующей сеткой, вследствие чего время нарастания напряжения на экранирующей сетке уменьшается; 3) с катода может быть снят отрицательный импульс.

Основным недостатком является усложнение схемы.

9-4. САНАТРОН

С помощью описанной выше схемы фантастрона обычно трудно получить небольшую длительность стадии линейного изменения потенциала анода и, следовательно, трудно получить малую длительность селекторных импульсов в связи с ограничением тока экранирующей сетки ламп типа -6AS6. Уменьшение сопротивления Rc для получения большего разрядного тока конденсатора Ct в схеме фантастрона со связью по экранирующей сетке обусловливает увеличение мощности рассеяния иа ней в состоянии покоя из-за значительного увеличения тока экранирующей сетки с увеличением положительного сеточного смещения. В схеме сана-троиа для получения очень коротких селекторных импульсов, длительность которых является линейной функцией исходного напряжения, могут быть использованы лампы, способные обеспечить более высокую мощность рассеяния на экранирующей сетке, как, например, лампа 6AG7; эта лампа, однако, имеет худшие управляющие свойства (по защитной сетке), чем лампа 6AS6.

Схема саиатрона приведена на рис. 9-10. Лампа Jlt аналогична усилительной лампе в фаитастроне со связью по экранирующей сетке. Однако сетка лампы Jlt непосредственно связана с сеткой лампы Л2. Режим усиления лампы Л2 обеспечивает возбуждение защитной сетки лампы Л от состояния, соответствующего отсечке анодного тока, до нулевого смещения или даже положительного напряжения. Анод лампы Л2 через емкость С2 связан с защитной сеткой лампы Л,. Благодаря этому к защитной сетке могут быть приложены напряжения амплитудой 50-100 в. Когда лампа Л( находится в состоянии покоя, лампа Л2 отперта. Однако лампа Л2 обычно заперта в течение периода, соответствующего участку линейно изменяющегося напряжения на аноде лампы Ли



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 [109] 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226 227 228 229 230 231 232 233



0.0017