Главная - Литература

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 [11] 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169




Рис. 2.29. Резонансная кривая первого контура при сравнительно слабой связи между контурами:

а - резонансные частоты не совпадают; б -резонансные частоты совпадают

Рис, 2.30. Резонансная кривая первого контура при сильной связи между контурами:

а - резонзнсные частоты не совпадают; б - резонансные частоты совпадают

ГО конденсатора. При этом вносимые сопротивления в первый контур уменьшаются вследствие увеличения 222- При настройке второго контура можно временно расстроить первый контур, подключив к нему тот же вспомогательный конденсатор.

Удобным прибором для наблюдения резонансных кривых настраиваемых контуров является прибор для настройки телевизоров. Он состоит из генератора, частота которого периодически перестраивается (качается) в некоторых пределах вокруг среднего значения, и осциллографа, позволяющего наблюдать резонансную кривую исследуемого колебательного контура. Резонансная кривая наблюдается на экране трубки осциллографа за счет вертикального отклонения луча, пропорционального напряжению на детекторной головке прибора, подключаемой к колебательному контуру, и горизонтального отклонения луча за счет напряжения, вызывающего качание частоты. На рис. 2.29 показаны резонансные кривые первого контура при несовпадении и совпадении частот настроек контуров при сравнительно слабой связи, на рис. 2.30 - то же, но при сильной связи. Они наглядно показывают роль вносимого сопротивления, увеличивающегося при резонансе во втором контуре.

Связь между контурами оценивается коэффициентом связи

(2.78)

ce = yl2,

где kl и 2 - степени связи.

Степенью связи ki первого контура со вторым называют отношение напряжения, передаваемого первым контуром во второй при разомкнутом втором контуре, к напряжению на первом контуре. При этом напряжением на контуре называется напряжение на полной индуктивности или полной емкости контура. Аналогично 0!1ределяется и степень связи 2.

Для схем, приведенных на рис. 2.21 и 2.22, степени связи:

Поэтому

fece == у 12 = Xce/yXLiXL2.

При индуктивной связи

feee = M/yLiL2.

(2.791



При внутренней емкостной связи

k\=XcelXcQ,

где Co=CiCce/(Ci + Cce), откуда ki = Cil[Ci + Cce)

Обычно применяется слабая связь. При этом CCi, fCJCce. Аналогично имеем kiCICce, откуда

kceyCC. (2.80)

При Ci = C2 = C

kceC/Cce. (2.81)

При слабой внешней емкостной связи откуда

kceC,,iyC,C2. (2.82)

При Ci = C2=C

kceCJC. (2.83)

Одинаковые контуры. Пусть два одинаковых контура (рис,2.31) связаны индуктивно. Составим уравнения Кирхгофа:

2/i-j(oM/2 = £; 2/2-j(oM/i = 0,

где z = r+j(coL-1/(оС). Знак «минус» в левых частях уравнений предполагает, что катушки индуктивностей намотаны и расположены так, что их магнитные потоки, создаваемые токами h и /s, имеют противоположное направление. Из второго уравнения имеем

/l = 2/2/j(0M.

Подставив это в первое уравнение, получим

/2 = ]й)М£/(22 + й)Ш2).

Ток во втором контуре при резонансе

/2Р.а = ]й)оМ£/(гЧ-й)оЛГ2)

максимален при (ооЛ1 = г, что соответствует

/гее opt = б. (2.84)


Рис. 2.31. Одинаковые "Колебательные контуры, связанные индуктивно



Модуль отношения токов

\у\= \h\ со гЧтрМ 1 + соМуг

Будем считать, что ю/(оо=« 1, и введем обозначение

oWW ©оЛ1 MpZ. кся (2 85)

г cooZ- г S

Тогда

22/r2=(l+jX)2,

где дс= (raL-l/(oC)/rRi2QAif o. Следовательно, = JM = i±I!,

Таким образом, выражение для обобщенной резонансной кривой двух связанных контуров имеет следующий вид:

U=-iZiJ + (2.86)

где \у\ - отношение модуля тока во втором контуре при расстройке к модулю тока при резонансной частоте;

A=2QA,f/fo (2.87)

- обобщенная расстройка; ц = ксв/б - коэффициент, характеризующий связь между контурами.

При постоянной связи числитель выражения (2.86) не изменяется и вид резонансной кривой определяется знаменателем, зависящим от обобщенной расстройки х. Выражение под знаком корня

{1+ц2 х2)2х{\+цУ+[4-2(1+ц)]х + х\ (2.88)

При малых расстройках (х1) на знаменатель основное влияние оказывает второй член, пропорциональный х.

Если т]>1, то выражение в квадратных скобках отрицательно и знаменатель при малых расстройках уменьшается с увеличением расстройки, а \у\ возрастает. Однако одновременно с отрицательным членом, пропорциональным х, растет и положительный член, пропорциональный х. При некотором значении расстройки X \у\ достигает максимума, причем (/тах>1.

Следовательно, при небольших расстройках, когда т]>1, наблюдается возрастание \у\. Физически это объясняется тем, что при связи, большей оптимальной, на резонансной частоте вносимое активное сопротивление велико. Это сопротивление уменьшается с увеличением расстройки и достигает оптимального значения, когда Гвн1 = Гп и XeH\=-Xii.

Обобщенная ордината \у\ достигает значений, больших 1, но это не означает, что ток во втором контуре при т]>1 больше, чем при Т1=1 (рис. 2.32 и 2.33).



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 [11] 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169



0.0018