Главная - Литература

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 [87] 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169

J L

J M

VJ!I

an Ф

3Bir SO

vin \

I9.3B

moiK

, КПП»

IB,6A)

i ктвпв

KTstss

\XT102B \*!в

г,7л

20 f

Uiso L

1000,3 SOS

PlSSr

Я13 IA

13 г

A .

\,кгвпв

Рис. 11.18. Схема бестрансформаторного усилителя с двумя комплементарными парами

Коэффициент полезного действия усилителя меньше максимально возможного для класса В т) = 78,5% вследствие того, что коэффициент использования напряжения = Umn/(Jn меньше единицы.

Глава 12

РЕЗОНАНСНЫЕ УСИЛИТЕЛИ

12.1. СХЕМА РЕЗОНАНСНОГО УСИЛИТЕЛЯ

При усилении радиочастотных колебаний в качестве сопротивления нагрузки транзистора или электронной лампы можно использовать параллельный колебательный контур, настроенный в резонанс с частотой усиливаемых колебаний. Такой усилитель называется резонансным.

Резонансный усилитель, применяемый для усиления в узкой пелосе частот, имеет ряд преимуществ по сравнению с резисторным:




u 1 г

овин каскад усилений

Рис. 12.1, Принципиальная схема транзисторного резонансного усилителя

613

Рис. 12.2. Эквивалентные схемы транзисторного резонансного усилителя:

а -с колебательным контуром; б - колебательный контур заменен эквивалентным со*

противлением

входная емкость, емкость соединительных проводников и выходная емкость компенсируются настройкой контура в резонас, поэтому сопротивление нагрузки, равное эквивалентному сопротивлению контура, может быть большим и обеспечивает большое усиление (резисторной усилитель вследствие шунтирующего влияния емкостей на очень высоких частотах не дает усиления);

на сопротивлении нагрузки нет падения постоянного напряжения, поэтому сопротивление нагрузки можно выбирать очень большим.

На рис. 12.1 показана схема одного каскада транзисторного резонансного усилителя, колебательный контур которого частично включен в коллекторную и базовую цепи. Это сделано, для уменьшения шунтирующего влияния выходного сопротивления транзистора VTl и входного сопротивления транзистора VT2 на колебательный контур и для согласования входного и выходного сопротивлений транзистора.

На эквивалентной схеме транзисторного резонансного усилителя (рис. 12.2 а) транзистор заменен генератором тока и выходным сопротивлением. На схеме рис. 12.2,6 входное сопротивление следующего транзистора заменено сопротивлением /?„, приведенным к точке Колебательный контур заменен эквивалентным сопротивлением между точками с и а. Таким образом, схема на рис. 12.2,6 справедлива лишь для резонансной частоты.

Генератор тока управляется напряжением IJu на внутренней базе транзистора VT1. Его можно заменить генератором, управ-



ляемым внешним входным напряжением. Тогда вместо внутренней крутизны 5 должна использоваться внешняя крутизна транзистора, т. е. параметр г/гь равный отношению переменного тока на короткозамкнутом выходе активного прибора к малому переменному напряжению на его входе. В этом случае эквивалентные схемы на рис. 12.2 справедливы для активного прибора любого типа: электронной лампы, полевого транзистора.

12.2. КОЛЕБАТЕЛЬНЫЙ КОНТУР В РЕЗОНАНСНОМ УСИЛИТЕЛЕ

Колебательный контур в резонансном усилителе выполняет две функции: согласует входное и выходное сопротивления и обеспечивает избирательность. Если собственное эквивалентное сопротивление контура между точками с и а равно R, а общее сопротивление, шунтирующее контур, равно

Ro--RebixRj{Rebix + R.), (12.1)

то общее эквивалентное сопротивление колебательного контура Ro=RM{Rsn+Ro). (12.2)

Если контур до шунтирования имел добротность Q, то после шунтирования его добротность уменьшится до некоторого значения QaK.

Можно написать следующее соотношение между Qan и Q: Qsn=Q{l-Knu}, . (12.3)

в котором Кпи - коэффициент потери избирательности (добротности), характеризующий относительное уменьшение избирательности (добротности). Отношение

QanlQ-l-KnuRaKo/RaK-

Подставляя сюда (12.2), получаем

\-Knu=-Ro/iRan + Ro),

откуда

Knu = R3n/{Ran + Ro) (12.4)

Ro==Rsn{l/Knu-l). (12.5)

Выражение (12.4) позволяет определить коэффициент потери избирательности по известным величинам и Ro, а выражение (12.5) позволяет по заданным эв и Кпи определить допустимое значение Ro или по известному значению шунтирующего сопротивления Rq определить эк между точками включения контура.



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 [87] 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169



0.0016